BSO612CV G دیتاشیت

BSO612CV G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSO612CV G
حجم فایل 77.805 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

دانلود دیتاشیت BSO612CV G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSO612CV G
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 15.5nC@10V;16nC@10V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 340pF;400pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A;null
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@20uA;4V@450uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 120mΩ@3A,10V;300mΩ@2A,10V
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه